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    2. 技術(shù)文章

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      FRINGE在TiN薄膜的GIXRD應(yīng)用

      更新時(shí)間:2024-10-15 17:21:42

      瀏覽次數(shù):1092

      一、TiN薄膜應(yīng)用背景


      隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,薄膜材料的應(yīng)用越來越廣泛。TiN薄膜是一種優(yōu)異的表面修飾材料,由于其具有較高的硬度和耐磨性能、化學(xué)穩(wěn)定性和高溫穩(wěn)定性、獨(dú)特的金黃色、低電阻率以及阻擋擴(kuò)散層性質(zhì),廣泛應(yīng)用于涂層領(lǐng)域、微電子領(lǐng)域、鍍膜領(lǐng)域及醫(yī)療領(lǐng)域等。


      二、TiN薄膜的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)


      Ti和N可以形成多種固溶體和化合物,常見的Ti-N化合物有Ti2N和TiN兩種,金屬鈦(Ti)在間隙相中是以密排六方點(diǎn)陣或面心立方點(diǎn)陣排列,非金屬氮(N)原子則填充在Ti晶體中的間隙位置。Ti2N結(jié)構(gòu)中,金屬Ti原子以密排六方點(diǎn)陣方式排列,而N原子在它的間隙位置。TiN結(jié)構(gòu)中,金屬Ti原子則以面心立方點(diǎn)陣方式排列,N原子在它的八面體間隙位置。

      TiN薄膜晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,屬于NaCl型的面心立方結(jié)構(gòu)。其中Ti原子占據(jù)fcc(面心立方)晶格位置,而N原子則占據(jù)fcc晶格的八面體間隙位置。室溫下薄膜的晶格常數(shù)為a=0.424nm,滑移系為{110},理論密度值為5.339g/cm3

      FRINGE在TiN薄膜的GIXRD應(yīng)用(圖1)

       TiN薄膜晶體結(jié)構(gòu)示意圖



      三、掠入射X射線衍射(GXRID)技術(shù)在TiN薄膜表征中的應(yīng)用


      X射線測(cè)試技術(shù)被廣泛用于各種薄膜材料的表征。薄膜材料厚度比較薄,通常需要依附于一定的基底材料之上。而常規(guī)XRD測(cè)試,X射線的穿透深度一般在幾個(gè)微米到幾十個(gè)微米,遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于薄膜的厚度,導(dǎo)致薄膜的信號(hào)會(huì)受到基底的影響,來自基底的強(qiáng)大信號(hào)會(huì)把薄膜的信號(hào)掩蓋掉。另外,隨著衍射角度的增加,X射線在樣品上的照射面積逐漸減小,X射線只能輻射到部分樣品,無法利用整個(gè)樣品的體積,衍射信號(hào)弱。

      FRINGE在TiN薄膜的GIXRD應(yīng)用(圖2)

      圖(1)


      四、實(shí)驗(yàn)案例


      本實(shí)驗(yàn)采用蘇州浪聲科學(xué)儀器有限公司的FRINGE桌面式X射線衍射儀,對(duì)某企業(yè)提供的晶圓TiN薄膜樣品(60nm TiN/400nm SiO2/Si)進(jìn)行GIXRD檢測(cè)。


      1、樣品展示


      FRINGE在TiN薄膜的GIXRD應(yīng)用(圖1)

      某企業(yè)晶圓TiN薄膜樣品實(shí)物圖

      左圖—薄膜處理溫度較高,標(biāo)記1#-TiN film

      右圖—薄膜處理溫度較低,標(biāo)記2#-TiN film


      2、測(cè)試參數(shù)設(shè)置


      儀器型號(hào):FRINGE
      靶材:Cu靶(CuKα)
      附件:長(zhǎng)索拉狹縫、對(duì)光片、Z軸樣品臺(tái)管壓/管流:30kV/20mA

      掃描模式:θ-θ掃描測(cè)試范圍:10-75°
      步長(zhǎng):0.05°/step積分時(shí)間:200ms/step

      掃描模式:掠射掃描測(cè)試范圍:10-72°
      步長(zhǎng):0.05°/step入射角:1°
      積分時(shí)間:500ms/step


      3、結(jié)果與結(jié)論


      FRINGE在TiN薄膜的GIXRD應(yīng)用(圖2)

      圖(2)粉末衍射θ-θ掃描模式下薄膜樣品1#-TiN film(單晶硅襯底)的衍射圖譜


      FRINGE在TiN薄膜的GIXRD應(yīng)用(圖3)

      圖(3)粉末衍射θ-θ掃描模式下薄膜樣品1#-TiN film(單晶硅襯底)的衍射圖譜上異常峰的解釋


      FRINGE在TiN薄膜的GIXRD應(yīng)用(圖4)

      圖(4)薄膜掠射掃描模式下薄膜樣品1#-TiN film的衍射圖譜及定性結(jié)果


      FRINGE在TiN薄膜的GIXRD應(yīng)用(圖5)

      圖(5)薄膜掠射掃描模式下薄膜樣品2#-TiN film的衍射圖譜及定性結(jié)果


      FRINGE在TiN薄膜的GIXRD應(yīng)用(圖6)

      圖(6)薄膜掠射掃描模式下薄膜樣品1#及2#-TiN film的疊加衍射圖譜


      FRINGE在TiN薄膜的GIXRD應(yīng)用(圖7)

      表(1)


      4、分析結(jié)果


      1)采用兩種不同的衍射幾何對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于常規(guī)對(duì)稱衍射幾何(CXRD),測(cè)試過程中,樣品固定不動(dòng),光管和探測(cè)器為θ-θ耦合,即光管轉(zhuǎn)過θ角,光管也轉(zhuǎn)過θ角。對(duì)于掠入射非對(duì)稱衍射幾何(GIXRD),測(cè)試過程中樣品和光管都固定不動(dòng),X射線以固定角度(1°)掠入射薄膜并保持角度不變,探測(cè)器作2θ掃描大角度范圍旋轉(zhuǎn)收集衍射信號(hào)(圖(1))。


      2)圖(2)展示了在常規(guī)粉末衍射θ-θ掃描模式下單晶硅襯底的TiN薄膜的衍射圖譜,可以看出單晶硅襯底的400衍射[69.2°(2θ)]成了“3叉峰”,這是因?yàn)槌瑥?qiáng)衍射強(qiáng)度導(dǎo)致峰形畸變。圖(3)給出了粉末衍射θ-θ掃描模式下薄膜1#-TiN film(單晶硅襯底)的衍射圖譜上異常峰的解釋。其中33°左右的衍射峰是來自Si(002)晶面。


      3)圖(4)、(5)所示的掠射掃描模式下薄膜1#-TiN film和薄膜2#-TiN film的衍射圖譜和定性結(jié)果??梢钥闯觯瑑蓚€(gè)不同溫度處理的晶圓薄膜的物相均為面心立方結(jié)構(gòu)的氮化鈦,PDF卡片號(hào)為00-038-1420。另外從卡片匹配情況上來看,可以知道薄膜2#-TiN film存在(200)擇優(yōu)取向。


      4)圖(6)所示的掠射掃描模式下薄膜1#及2#-TiN film的疊加衍射圖譜??梢钥闯鎏幚頊囟容^高的薄膜1#-TiN film的衍射峰比薄膜2#-TiN film更尖銳,說明薄膜1#-TiN film的結(jié)晶度更高,使用分峰擬合程序?qū)@兩個(gè)薄膜的結(jié)晶度進(jìn)行計(jì)算,由表1得知薄膜1#-TiN film結(jié)晶度為57%,薄膜2#-TiN film結(jié)晶度為36%,這一結(jié)果與薄膜后處理溫度高低相符。



      五、結(jié)論


      使用蘇州浪聲的FRINGE桌面式X射線衍射儀,配置薄膜附件可對(duì)薄膜樣品進(jìn)行物相分析,結(jié)晶度分析,還可進(jìn)行晶粒尺寸分析,使用GIXRD能夠?yàn)椴牧系难邪l(fā)、生產(chǎn)、質(zhì)量管控等提供強(qiáng)有力的數(shù)據(jù)支撐,及時(shí)調(diào)整工藝條件,獲得高質(zhì)量產(chǎn)品。

      819630446

      TEL:13073301868

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