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      XRD在透明導電氧化物薄膜(TCO)表征分析中的應用

      更新時間:2025-07-04 15:43:38

      瀏覽次數(shù):606

      簡介  


      透明導電氧化物薄膜(TCO)是指一類具有高導電性、在可見光范圍內(nèi)并具有很高透明度的重要光電材料。在自然界中,透明的物質(zhì)通常不導電(如玻璃、水晶等),而具有導電性或者導電性良好的物質(zhì)又往往是不透明的(如金屬材料、石墨等)。透明導電氧化 物薄膜打破了傳統(tǒng)的觀念,將透明度與導電性能相結(jié)合,成為功能薄膜材料中具有特色的一類薄膜,常見的TCO薄膜主要分為ITO薄膜、AZO薄膜、FTO薄膜、ATO薄膜等,目前已在光伏電池組件、平面顯示器、觸控面板、發(fā)光二極管(LEDs)、氣敏傳感器等不同領域獲得了廣泛的應用。


      TCO薄膜表征分析


      TCO薄膜的物相結(jié)構(gòu)對其產(chǎn)品質(zhì)量具有決定性作用。通過物相分析,我們可以深入了解TCO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、晶格參數(shù)、晶粒大小以及晶體生長的擇優(yōu)取向等關鍵特性,這些特性與薄膜的光電性能如透明度、導電能力和長期穩(wěn)定性緊密相關。

      X射線衍射(XRD)技術(shù)是分析TCO薄膜的關鍵工具,它能夠提供關于薄膜晶體結(jié)構(gòu)和微觀結(jié)構(gòu)的詳盡信息。XRD分析得到的晶格參數(shù)、晶粒尺寸和擇優(yōu)取向等數(shù)據(jù),對于FTO薄膜的光電行為和提高其性能穩(wěn)定性極為重要。通過這些分析,研究人員能夠優(yōu)化TCO薄膜的制備工藝,從而提升其在各種應用中的性能表現(xiàn)。

      • 鑒定TCO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和物相組成。通過分析XRD圖譜中的衍射峰,可以確定FTO薄膜是否為金紅石結(jié)構(gòu)以及是否存在其他相,如四方相或立方相。這些信息有助于了解薄膜的晶體質(zhì)量,進而影響其導電性和透明度。

      • 檢測TCO薄膜的晶格參數(shù),包括晶格常數(shù)和晶面間距。這些參數(shù)的變化可能與薄膜生長過程中的應力狀態(tài)有關,從而影響薄膜的電子特性和機械穩(wěn)定性。

      • 評估TCO薄膜的晶粒尺寸和晶體取向。通過Scherrer公式,可以從衍射峰的寬度計算晶粒尺寸,而衍射峰的相對強度則可以提供晶體擇優(yōu)取向的信息。這些數(shù)據(jù)對于優(yōu)化薄膜的制備工藝和提高其性能具有重要意義。



      應用案例


      本實驗采用蘇州浪聲科學儀器有限公司的界FRINGE桌面式X射線衍射儀對某公司提供的TCO薄膜樣品的物相結(jié)構(gòu)進行了表征。


      (1)制樣

      2-240416103Q0950_副本.jpg

      (2)測試參數(shù)設置


      儀器型號:界FRINGE 靶材:Cu靶
      掃描模式:掠入射掃描入射角度:2°
      角度范圍:10~70°步進角度:0.05°/step 
      管壓、管流:30kV 20 mA 積分時間:600 ms/step 


      (3)測試結(jié)果與結(jié)論

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      樣品衍射圖譜


      經(jīng)過GIXRD測試,判定該薄膜樣品為FTO(SnO2:F)薄膜,且存在(200)擇優(yōu)取向。FTO(SnO2:F)薄膜是氟摻雜的二氧化錫(Fluorine-doped Tin Oxide)的簡稱,是一種寬禁帶半導體材料,其主要成分為SnO2,并摻雜了氟元素F。FTO薄膜具有優(yōu)異的透明性和導電性,這是因為氟原子替代了部分的氧原子,形成了SnO2?xFx結(jié)構(gòu),從而調(diào)節(jié)了材料的禁帶寬度和載流子濃度,使得薄膜既透明又導電。FTO薄膜通常呈現(xiàn)四方金紅石型結(jié)構(gòu),具有高載流子濃度和低電阻率的特性。

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      SnO2單胞結(jié)構(gòu)


      引用文獻:

      樊琳, 許珂敬, 史曉慧, 賈雨輝, 張衡, 魏春城. 不同氟源對FTO薄膜性能影響及其作用機理. 材料工程, 2018, 46(9): 59-64.


      819630446

      TEL:13073301868

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